企业简介
苏州博创集成电路设计有限公司 main business:研发、半导体集成电路及半导体分立器件、电子产品、计算机软硬件；仪器仪表、普通机械、电器机械、五金交电；提供相关技术服务。（有效期至2010年2月25日止） and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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苏州博创集成电路设计有限公司的工商信息
- 320594000113866
- 91320594673014968T
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司（自然人投资或控股的法人独资）
- 2008年03月14日
- 张立新
- 3000.000000
- 2008年03月14日 至 永久
- 苏州工业园区市场监督管理局
- 2016年04月14日
- 苏州独墅湖高等教育区林泉街399号1#3层
- 研发、销售：半导体集成电路及半导体分立器件、电子产品、计算机软硬件；销售：仪器仪表、普通机械、电器机械、五金交电；提供相关技术服务；从事上述商品和相关技术的进出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
苏州博创集成电路设计有限公司的商标信息
苏州博创集成电路设计有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN106208662A | 输出恒压补偿电路 | 2016.12.07 | 本发明公开了输出恒压补偿电路，电流源的输入端连接供电信号端V<sub>supply</sub>，输出 |
| 2 | CN101599507A | N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管 | 2009.12.09 | 本发明涉及N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，在衬底上设埋氧化层，埋氧化层上设N型掺杂 |
| 3 | CN206117538U | 趋近于零待机输入的开关电源电路装置 | 2017.04.19 | 本实用新型公开了趋近于零待机输入的开关电源电路装置，包括交流输入单元、电源模块、负载模块、待机控制模 |
| 4 | CN104282740B | 绝缘体上硅的横向P型绝缘栅双极晶体管 | 2017.03.01 | 本发明公开了一种P型沟道绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管，包括：N型掺杂半导体衬底，在N型掺杂半导体 |
| 5 | CN106160418A | 一种开关电源的控制方法 | 2016.11.23 | 本发明公开了一种开关电源的控制方法，包括设置在变压器副边绕组的次级控制器及次级MOS M2，用于检测 |
| 6 | CN103219898B | 具有电流采样和启动结构的半导体装置 | 2016.06.01 | 本发明涉及具有电流采样和启动结构的半导体装置，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和电阻，第一晶体 |
| 7 | CN101262170A | 频率抖动的实现方法及频率抖动电路 | 2008.09.10 | 本发明公开一种频率抖动的实现方法，其特征在于通过在振荡器内部充放电电容两端并联频率抖动控制电路来周期 |
| 8 | CN105119479A | 启动时间可调的高压启动电路 | 2015.12.02 | 本发明涉及启动时间可调的高压启动电路，第一NMOS晶体管漏极与第一电阻第一端、第二NMOS晶体管栅极 |
| 9 | CN105097903A | 绝缘体上硅的横向N型绝缘栅双极晶体管 | 2015.11.25 | 本发明公开了一种绝缘体上硅的横向N型绝缘栅双极晶体管，包括：P型掺杂半导体衬底，在P型掺杂半导体衬底 |
| 10 | CN102761238B | 一种单向导通的高压启动电路 | 2015.08.12 | 本发明公开了一种单向导通的高压启动电路，包括：镜像电流源、电流源的产生控制模块、充电电容、第一P沟道 |
| 11 | CN102548168B | 一种扫频点火检测与控制的实现电路 | 2015.01.21 | 本发明公开了一种扫频点火检测与控制的方法及实现电路，包括：锁存器、可调振荡器、反相器、N沟道MOSF |
| 12 | CN104282740A | 绝缘体上硅的横向P型绝缘栅双极晶体管 | 2015.01.14 | 本发明公开了一种P型沟道绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管，包括：N型掺杂半导体衬底，在N型掺杂半导体 |
| 13 | CN102709324B | 一种低功耗高压驱动电路及其使用的双向P型开关管 | 2014.12.10 | 本发明公开了一种低功耗高压驱动电路及其使用的双向P型开关管。双向P型开关管因为具有两个左右对称的漂移 |
| 14 | CN102306662B | 超结纵向双扩散金属氧化物场效应管的终端结构 | 2014.03.19 | 本发明提供一种超结纵向双扩散金属氧化物场效应管的终端结构，包括兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺 |
| 15 | CN102013877B | 一种减小补偿电容的跨导放大器 | 2013.12.25 | 本发明公开了一种减小补偿电容的跨导放大器，包括：第一级放大电路，采样电路、第二级放大电路和偏置生成电 |
| 16 | CN103426880A | 一种CMOS型高低压集成的工艺器件结构及其制备方法 | 2013.12.04 | 本发明公开了本发明公开了一种CMOS型高低压集成的工艺器件结构及其制备方法，所述器件由低压N型金属氧 |
| 17 | CN103346537A | 短路保护结构 | 2013.10.09 | 本发明涉及短路保护结构，包括第一晶体管、第二晶体管、控制电路、第一晶体管电流采样电阻和第二晶体管电流 |
| 18 | CN203219193U | 一种精简的非隔离开关电源电路 | 2013.09.25 | 本实用新型公开了一种精简的非隔离开关电源电路，包括桥式整流滤波电路，单芯片开关电源IC电路，直流输出 |
| 19 | CN103219898A | 具有电流采样和启动结构的半导体装置 | 2013.07.24 | 本发明涉及具有电流采样和启动结构的半导体装置，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和电阻，第一晶体 |
| 20 | CN102299173B | 一种超结纵向双扩散N型金属氧化物半导体管 | 2013.03.20 | 本发明公开了一种超结纵向双扩散N型金属氧化物半导体管，包括一个或一个以上的管单元，管单元包括漏极金属 |
| 21 | CN102761241A | 一种低电磁干扰低功耗高压驱动电路 | 2012.10.31 | 本发明公开了一种低电磁干扰低功耗高压驱动电路，包含电平转换级，缓冲级、高压输出级以及信号产生电路，第 |
| 22 | CN102761277A | 一种非隔离的开关电源电路 | 2012.10.31 | 本发明公开了一种非隔离的开关电源电路，包括桥式整流滤波电路、单芯片开关电源IC电路、直流输出电路和输 |
| 23 | CN102761238A | 一种单向导通的高压启动电路 | 2012.10.31 | 本发明公开了一种单向导通的高压启动电路，包括：镜像电流源、电流源的产生控制模块、充电电容、第一P沟道 |
| 24 | CN102709324A | 一种低功耗高压驱动电路及其使用的双向P型开关管 | 2012.10.03 | 本发明公开了一种低功耗高压驱动电路及其使用的双向P型开关管。双向P型开关管因为具有两个左右对称的漂移 |
| 25 | CN101702409B | 绝缘体上硅的横向P型双扩散金属氧化物半导体管 | 2012.09.26 | 一种绝缘体上硅的横向P型双扩散金属氧化物半导体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底上面设置有埋氧化层， |
| 26 | CN102570789A | 一种高压启动电路 | 2012.07.11 | 本发明公开了一种高压启动电路，其包含有一第一晶体管，一第二晶体管，一第三晶体管和一转换电路。一输入电 |
| 27 | CN102573249A | 一种压控频率扫描振荡器 | 2012.07.11 | 本发明公开了一种压控频率扫描振荡器，包括：振荡器、扫频控制器和偏置基准。偏置基准为振荡器和扫频控制器 |
| 28 | CN102548168A | 一种扫频点火检测与控制的方法及实现电路 | 2012.07.04 | 本发明公开了一种扫频点火检测与控制的方法及实现电路，包括：锁存器、可调振荡器、反向器、N沟道MOSF |
| 29 | CN101853785B | 纵向高压硼扩散深槽半导体管的制备方法 | 2012.06.06 | 一种纵向高压硼扩散深槽半导体管的制备方法，包括N型掺杂类型半导体衬底，在衬底上设有N型外延层，在外延 |
| 30 | CN101593774B | P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管 | 2012.05.23 | 本发明涉及P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括衬底，其上设埋氧化层，埋氧化层上设P |
| 31 | CN102386185A | 一种高低压集成的工艺器件及其制备方法 | 2012.03.21 | 本发明公开了一种高低压集成的工艺器件及其制备方法，包括低压增强型、耗尽型N型金属氧化物半导体场效应晶 |
| 32 | CN102386224A | 一种纵向超结金属氧化物场效应晶体管器件及其制备方法 | 2012.03.21 | 本发明公开了一种纵向超结金属氧化物场效应晶体管器件及其制备方法，所述器件包括：N型掺杂半导体衬底，在 |
| 33 | CN101901830B | 绝缘体上硅的正反导通横向绝缘栅双极晶体管 | 2012.02.22 | 一种绝缘体上硅的正反导通横向绝缘栅双极晶体管，包括P型掺杂半导体衬底，P型掺杂外延层，N型掺杂阱区， |
| 34 | CN102306662A | 超结纵向双扩散金属氧化物场效应管的终端结构 | 2012.01.04 | 本发明提供一种超结纵向双扩散金属氧化物场效应管的终端结构，包括兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺 |
| 35 | CN101764150B | 绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管及工艺制造方法 | 2012.01.04 | 一种高压绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管的工艺制造方法，包括：P型掺杂半导体衬底，在P型掺杂半导体衬 |
| 36 | CN102299173A | 一种超结纵向双扩散N型金属氧化物半导体管 | 2011.12.28 | 本发明公开了一种超结纵向双扩散N型金属氧化物半导体管，包括一个或一个以上的管单元，管单元包括漏极金属 |
| 37 | CN101840933B | 带表面缓冲环终端结构的超结金属氧化物场效应晶体管 | 2011.11.23 | 本发明公开了一种带表面缓冲环终端结构的超结金属氧化物场效应晶体管，包括：N型掺杂半导体衬底，在所述N |
| 38 | CN101714552B | 等离子显示驱动芯片用高低压器件及制备方法 | 2011.05.25 | 本发明提供一种等离子显示驱动芯片用高低压器件及制备方法，所述器件由高压N型横向绝缘栅双极型晶体管、高 |
| 39 | CN101764157B | 绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体管及制备方法 | 2011.05.11 | 本发明公开了一种绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体管及制备方法，包括：P型掺杂半导体衬底，在P型掺 |
| 40 | CN101692435B | 绝缘体上硅的深槽隔离结构刻蚀及填充方法 | 2011.05.11 | 一种绝缘体上硅的深槽隔离结构刻蚀及填充方法，包括在半导体衬底上面设置埋氧层，在埋氧层上设有N型顶层单 |
| 41 | CN101692454B | 绝缘体上硅的高压p型金属氧化物半导体管 | 2011.05.11 | 一种用于绝缘体上硅的高压P型金属氧化物半导体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底上面设置有埋氧化层，在 |
| 42 | CN101692434B | 绝缘体上硅的深槽隔离结构的填充方法 | 2011.05.11 | 一种绝缘体上硅深槽隔离结构的介质填充方法，包括位于在半导体衬底上面设置的埋氧层，在埋氧层上设有N型顶 |
| 43 | CN102013877A | 一种减小补偿电容的跨导放大器 | 2011.04.13 | 本发明公开了一种减小补偿电容的跨导放大器，包括：第一级放大电路，采样电路、第二级放大电路和偏置生成电 |
| 44 | CN101599507B | N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管 | 2010.12.29 | 本发明涉及N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，在衬底上设埋氧化层，埋氧化层上设N型掺杂 |
| 45 | CN101901830A | 绝缘体上硅的正反导通横向绝缘栅双极晶体管 | 2010.12.01 | 一种绝缘体上硅的正反导通横向绝缘栅双极晶体管，包括P型掺杂半导体衬底，P型掺杂外延层，N型掺杂阱区， |
| 46 | CN101901831A | 具有高维持电压的SCR ESD保护结构 | 2010.12.01 | 一种具有高维持电压的静电放电防护SCR结构，该结构包含P型衬底，在P型衬底上设有N型阱和P型阱区域， |
| 47 | CN101853785A | 纵向高压硼扩散深槽半导体管的制备方法 | 2010.10.06 | 一种纵向高压硼扩散深槽半导体管的制备方法，包括N型掺杂类型半导体衬底，在衬底上设有N型外延层，在外延 |
| 48 | CN101840933A | 带表面缓冲环终端结构的超结金属氧化物场效应晶体管 | 2010.09.22 | 本发明公开了一种带表面缓冲环终端结构的超结金属氧化物场效应晶体管，包括：N型掺杂半导体衬底，在所述N |
| 49 | CN101814436A | 纵向高压深槽半导体管的制备方法 | 2010.08.25 | 一种纵向高压硼扩散深槽半导体管的制备方法，该器件的漂移区是P型半导体区和N型半导体区交替排列的形式， |
| 50 | CN101764157A | 绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体管及制备方法 | 2010.06.30 | 本发明公开了一种绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体管及制备方法，包括：P型掺杂半导体衬底，在P型掺 |
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